Отправить сообщение
Opto-Edu (Beijing) Co., Ltd. 0086-13911110627 sale@optoedu.com
High Resolution Digital Scanning Optical Microscope Huge Sample Stage

Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный

  • Высокий свет

    микроскоп высокой сканирования разрешения оптически

    ,

    огромный этап образца просматривая оптически микроскоп

  • Разрешение
    3nm@30KV (SE); 6nm@30KV (BSE)
  • Увеличение
    Отрицательное увеличение: 8x~300000x; Увеличение экрана: 12x~600000x
  • Электронная пушка
    Нагретый вольфрамом центризованный катодом-Pre патрон нити вольфрама
  • Ускоряя ход напряжение тока
    0~30KV
  • Объективная апертура
    Апертура молибдена регулируемая вне системы вакуума
  • Этап образца
    Этап 5 осей
  • Место происхождения
    Китай
  • Фирменное наименование
    OPTO-EDU
  • Сертификация
    CE, Rohs
  • Номер модели
    А63.7069
  • Количество мин заказа
    1 ПК
  • Цена
    FOB $1~1000, Depend on Order Quantity
  • Упаковывая детали
    Упаковка коробки, для перевозок из страны
  • Время доставки
    5 ~ 20 дней
  • Условия оплаты
    T / T, западное соединение, Paypal
  • Поставка способности
    месяц 5000 ПК

Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный

 
  • 8x~300000x с детектором SED+BSED+CCD, этап по пяти осям (автоматический X/Y, ручной Z/R/T)
  • Модернизируемый LaB6, рентгеновский детектор, EBSD, CL, WDS, лакировальная машина и т. д.
  • Мультимодификация EBL, STM, AFTM, стадия нагрева, стадия крио, стадия растяжения, СЭМ+лазер и т. д.
  • Автоматическая калибровка, автоматическое обнаружение неисправностей, низкая стоимость обслуживания и ремонта
  • Простой и удобный интерфейс управления, все управление с помощью мыши в компьютерной системе Windows (в комплекте)
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 0
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 1
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 2
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 3
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 4
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 5
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 6
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 7
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 8
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 9
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 10
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 11
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 12
A63.7069 Основная функция программного обеспечения
Регулировка высокого давления Вертикальная строчная развертка Возможное регулирование смены
Регулировка тока накала Регулировка конденсатора Многомасштабное измерение
Регулировка астигматизма Электрическая центральная регулировка Автоматическая яркость/контраст
Регулировка яркости Регулировка объектива Автофокус
Регулировка контрастности Предварительный просмотр фото Автоматическое устранение астигматизма
Регулировка увеличения Активная линейка Автоматическая регулировка нити
Режим сканирования выбранной области 4 Настройка скорости сканирования Управление параметрами
Режим сканирования точек Инверсия объектива Моментальный снимок изображения, замораживание изображения
Сканирование поверхности Реверс конденсатора Быстрый просмотр одним ключом
Горизонтальная строчная развертка Электрическая регулировка вращения  
 

Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 13
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 14
СЭМ А63.7069 А63.7080 А63.7081
Разрешение 3 нм при 30 кВ (ЮВ)
6 нм @ 30 кВ (BSE)
1,5 нм при 30 кВ (ЮВ)
3нм@30кВ(БСЭ)
1,0 нм при 30 кВ (SE)
3,0 нм при 1 кВ (SE)
2,5 нм при 30 кВ (BSE)
Увеличение 8x~300000x Отрицательное истинное увеличение 8x~800000x Отрицательное истинное увеличение 6x~1000000x Отрицательное истинное увеличение
Электронная пушка Картридж с предварительно отцентрованной вольфрамовой нитью Полевой эмиссионный пистолет Шоттки Полевой эмиссионный пистолет Шоттки
Напряжение Ускоряющее напряжение 0~30кВ, плавная регулировка, шаг регулировки 100В@0-10кВ, 1кВ@10-30кВ
Быстрый просмотр Одна ключевая функция быстрого просмотра изображения Н/Д Н/Д
Система линз Трехуровневая электромагнитная коническая линза Многоуровневая электромагнитная коническая линза
Диафрагма 3 апертуры объектива из молибдена, регулируемые вне вакуумной системы, нет необходимости разбирать объектив, чтобы изменить апертуру
Вакуумная система 1 турбомолекулярный насос
1 механический насос
Вакуум в комнате для образцов> 2,6E-3Pa
Вакуум в помещении с электронной пушкой> 2,6E-3Pa
Полностью автоматическое управление вакуумом
Функция вакуумной блокировки

Дополнительная модель: A63.7069-LV
1 турбомолекулярный насос
2Механические насосы
Вакуум в комнате для образцов> 2,6E-3Pa
Вакуум в помещении с электронной пушкой> 2,6E-3Pa
Полностью автоматическое управление вакуумом
Функция вакуумной блокировки

Низкий вакуумДиапазон 10~270 Па для быстрого переключения за 90 секунд для BSE (LV)
1 комплект ионного насоса
1 турбомолекулярный насос
1 механический насос
Вакуум в комнате для образцов> 6E-4Pa
Вакуум в помещении с электронной пушкой> 2E-7 Па
Полностью автоматическое управление вакуумом
Функция вакуумной блокировки
1 распыляющий ионный насос
1 геттерный ионный насос
1 турбомолекулярный насос
1 механический насос
Вакуум в комнате для образцов> 6E-4Pa
Вакуум в помещении с электронной пушкой> 2E-7 Па
Полностью автоматическое управление вакуумом
Функция вакуумной блокировки
Детектор ЮВ: Высоковакуумный детектор вторичных электронов (с защитой детектора) ЮВ: Высоковакуумный детектор вторичных электронов (с защитой детектора) ЮВ: Высоковакуумный детектор вторичных электронов (с защитой детектора)
ГЭКРС: Сегментация полупроводников 4
Детектор обратного рассеяния


Дополнительная модель: A63.7069-LV
ГЭКРС (LV): Сегментация полупроводников 4
Детектор обратного рассеяния
По желанию По желанию
ПЗС:Инфракрасная ПЗС-камера ПЗС:Инфракрасная ПЗС-камера ПЗС:Инфракрасная ПЗС-камера
Расширить порт 2 Расширить порты в комнате для проб
ЭДС, БСД, ВДС и т.д.
4 Расширение портов в комнате для проб
BSE, EDS, BSD, WDS и т. д.
4 Расширение портов в комнате для проб
BSE, EDS, BSD, WDS и т. д.
Стадия образца Этап 5 осей, 4Авто+1РуководствоКонтроль
Диапазон путешествий:
Х=70мм, Y=50мм, Z=45мм,
R=360°, T=-5°~+90°(ручной)
Сенсорное оповещение и функция остановки
5 осейАвто Серединастадия
Диапазон путешествий:
Х=80мм, Y=50мм, Z=30мм,
R=360°, T=-5°~+70°
Сенсорное оповещение и функция остановки

Дополнительная модель:

А63.7080-М5 осейРуководствостадия
А63.7080-Л5 осейАвто Большойстадия
5 осейАвто Большойстадия
Диапазон путешествий:
Х=150 мм, Y=150 мм, Z=60 мм,
R=360°, T=-5°~+70°
Сенсорное оповещение и функция остановки
Максимальный образец Диаметр 175 мм, высота 35 мм Диаметр 175 мм, высота 20 мм Диаметр 340 мм, высота 50 мм
Система изображений Максимальное разрешение реального неподвижного изображения 4096x4096 пикселей,
Формат файла изображения: BMP (по умолчанию), GIF, JPG, PNG, TIF
Максимальное разрешение реального неподвижного изображения 16384x16384 пикселей,
Формат файла изображения: TIF (по умолчанию), BMP, GIF, JPG, PNG
Видео: Автоматическая запись цифрового видео .AVI
Максимальное разрешение реального неподвижного изображения 16384x16384 пикселей,
Формат файла изображения: TIF (по умолчанию), BMP, GIF, JPG, PNG
Видео: Автоматическая запись цифрового видео .AVI
Компьютерное программное обеспечение Рабочая станция ПК Система Win 10 с профессиональным программным обеспечением для анализа изображений для полного контроля над работой микроскопа SEM, спецификация компьютера не менее Inter I5 3,2 ГГц, память 4G, ЖК-монитор 24 дюйма IPS, жесткий диск 500G, мышь, клавиатура
Фото Дисплей Уровень изображения богатый и тщательный, показывает увеличение в реальном времени, линейку, напряжение, серую кривую
Измерение
& Масса
Корпус микроскопа 800х800х1850мм
Рабочий стол 1340х850х740мм
Общий вес 400 кг
Корпус микроскопа 800x800x1480мм
Рабочий стол 1340х850х740мм
Общий вес 450 кг
Корпус микроскопа 1000x1000x1730мм
Рабочий стол 1330х850х740мм
Общий вес 550 кг
дополнительные аксессуары
дополнительные аксессуары А50.7002Энергодисперсионный рентгеновский спектрометр EDS
А50.7011Ионное напыление
А50.7001Детектор электронов обратного рассеяния BSE
А50.7002Энергодисперсионный рентгеновский спектрометр EDS
А50.7011Ионное напыление
А50.7030Моторизованная панель управления
А50.7001Детектор электронов обратного рассеяния BSE
А50.7002Энергодисперсионный рентгеновский спектрометр EDS
А50.7011Ионное напыление
А50.7030Моторизованная панель управления
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 15
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 16
А50.7001 Детектор коровьей энцефалопатии Полупроводниковый четырехсегментный детектор обратного рассеяния;
Доступен в составе ингредиентов A+B, информация о морфологии AB;
Доступный образец наблюдения без напыления золота;
Доступно при наблюдении за примесями и распределением непосредственно на карте оттенков серого.
А50.7002 EDS (детектор рентгеновского излучения) Окно из нитрида кремния (Si3N4) для оптимизации передачи рентгеновских лучей с низким энергопотреблением для анализа легких элементов;
Отличное разрешение и передовая электроника с низким уровнем шума обеспечивают выдающуюся пропускную способность;
Небольшой размер обеспечивает гибкость для обеспечения идеальной геометрии и условий сбора AATA;
Детекторы содержат чип размером 30 мм2.
А50.7003 EBSD (дифракция обратно рассеянного электронного луча) пользователь может анализировать ориентацию кристаллов, кристаллическую фазу и микротекстуру материалов, а также характеристики связанных материалов и т. д.
автоматическая оптимизация настроек камеры EBSD
во время сбора данных проводить интерактивный анализ в режиме реального времени, чтобы получить максимум информации
все данные были брендированы временной меткой, которую можно просмотреть в любое время
высокое разрешение 1392 х 1040 х 12
Скорость сканирования и индексации: 198 точек/сек, с никелем в качестве стандарта, при условии 2~5 нА скорость индексации может быть ≥99%;
хорошо работает в условиях низкого тока луча и низкого напряжения 5 кВ при 100 пА
точность измерения ориентации: лучше 0,1 градуса
Использование тройной индексной системы: нет необходимости полагаться на однополосное определение, простая индексация плохого качества шаблона.
специальная база данных: специальная база данных EBSD, полученная методом электронной дифракции: >400 фазовых структур
Возможность индексирования: он может автоматически индексировать все кристаллические материалы 7 кристаллических систем.
Расширенные опции включают в себя расчет упругой жесткости (Elastic Stiffness), коэффициента Тейлора (Taylor), коэффициента Шмидта (Schmid) и так далее.
А50.7010 Лакировочная машина Стеклянная защитная оболочка: ∮250 мм;высота 340 мм;
Камера обработки стекла:
∮88мм;высота 140 мм, ∮88 мм;высота 57 мм;
Размер предметного столика: ∮40 ​​мм (макс.);
Вакуумная система: молекулярный насос и механический насос;
Обнаружение вакуума: Датчик Пирани;
Вакуум: лучше, чем 2 х 10-3 Па;
Вакуумная защита: 20 Па с микроклапаном для надувания;
Движение образца: вращение плоскости, прецессия наклона.
А50.7011 Ионное напыление Камера обработки стекла: ∮100 мм;высота 130 мм;
Размер предметного столика: ∮40 ​​мм (удерживает 6 чашек для образцов);
Размер золотой мишени: ∮58 мм * 0,12 мм (толщина);
Обнаружение вакуума: Датчик Пирани;
Вакуумная защита: 20 Па с микроклапаном для надувания;
Средний газ: аргон или воздух со специальным впускным отверстием для газа аргона и регулированием газа в микромасштабе.
А50.7012 Устройство для нанесения покрытий ионами аргона Образец был покрыт углеродом и золотом под высоким вакуумом;
Вращающийся стол для образцов, равномерное покрытие, размер частиц около 3-5 нм;
Без выбора целевого материала, без повреждения образцов;
Могут быть реализованы функции очистки ионов и разбавления ионов.
А50.7013 Осушитель критической точки Внутренний диаметр: 82 мм, внутренняя длина: 82 мм;
Диапазон давления: 0-2000 фунтов на квадратный дюйм;
Диапазон температур: 0–50 °C (32–122 °F)
А50.7014 Электронно-лучевая литография На основе сканирующего электронного микроскопа была разработана новая система наноэкспозиции;
Модификация сохранила все функции SEM для создания наноразмерного изображения ширины линии;
Модифицированная система Ebl широко применяется в микроэлектронных устройствах, оптоэлектронных устройствах, устройствах Quantun, исследованиях и разработках систем микроэлектроники.
 
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 17
A63.7069 Стандартный комплект расходных материалов
1 Вольфрамовая нить Предварительно центрированный, импортный 1 коробка (5 шт.)
2 Кубок для образцов Диаметр 13 мм 5 шт.
3 Кубок для образцов Диаметр 32 мм 5 шт.
4 Углеродная двухсторонняя проводящая лента 6мм 1 пакет
5 Вакуумная смазка   10 шт
6 Безволосая ткань   1 трубка
7 Полировочная паста   1 шт.
8 Коробка с образцами   2 сумки
9 Ватный тампон   1 шт.
10 Фильтр масляного тумана   1 шт.
A63.7069 Стандартный комплект инструментов и запасных частей
1 Внутренний шестигранный ключ 1,5 мм~10 мм 1 комплект
2 Пинцет Длина 100-120мм 1 шт.
3 Шлицевая отвертка 2*50мм, 2*125мм 2 шт.
4 Крестовая отвертка 2*125 мм 1 шт.
5 Съемник диафрагмы   1 шт.
6 Чистящий стержень   1 шт.
7 Инструмент для регулировки нити   1 шт.
8 Регулировочная прокладка нити   3 шт.
9 Экстрактор трубки   1 шт.
Высокое разрешение цифров просматривая этап образца оптически микроскопа огромный 18